SAMSUNG 970 EVO MZ-V7E500BW 500GB internal SSD
- Internal Solid Stat…
- Consumer
Hyväksymme kryptoa — hallussasi olevat kolikot voivat näin ostaa oikeaa laitteistoa.Maksa kryptolla, käytä se oikeaan laitteistoon. Ilmainen vakuutettu toimitus maailmanlaajuisesti yli 399 $. Neutraalit, tuotemerkittömät ulkopakkaukset, lähetetään Saksasta.Ilmainen vakuutettu toimitus yli 399 $. Kurssisi lukitaan 30 minuutiksi heti, kun kassa avautuu.Kurssi lukittu 30 minuutiksi. Jokainen tuote on sinetöity, sen sarjanumero on tarkistettu, ja sillä on 24 kuukauden takuu.Sinetöity, 24 kuukauden takuu.
SAMSUNG
A 2TB M.2 2280 internal SSD delivering up to 3500 MBps sequential read and 2500 MBps sequential write with 2GB LPDDR4 DRAM cache
The Samsung 970 EVO MZ-V7E2T0BW is a 2TB internal solid state drive built for consumer workloads. It uses the M.2 2280 form factor and connects through a PCIe Gen3 x4 interface with NVMe 1.3 protocol. The drive suits desktops and laptops that need fast storage for operating systems, applications and large media files.
The Samsung Phoenix controller manages the 64-layer V-NAND MLC flash and a 2GB LPDDR4 DRAM cache. This combination delivers sequential reads up to 3500 MBps and sequential writes up to 2500 MBps. Random read performance reaches 500,000 IOPS at QD32 and 15,000 IOPS at QD1, while random write hits 480,000 IOPS at QD32. Samsung Magician software enables cloning, firmware updates and performance optimisation.
The 2TB capacity provides ample room for games, creative projects and system images. Endurance is rated for heavy daily writes over the warranty period. Active power draw averages 6W with a 10W burst ceiling, while idle consumption stays at 30 mW. The drive operates between 0°C and 70°C and withstands 1,500G shock, ensuring reliability in portable and desktop systems.
| Brand | SAMSUNG |
|---|---|
| Series | 970 EVO |
| Model | MZ-V7E2T0BW |
| Device Type | Internal Solid State Drive (SSD) |
| Used For | Consumer |
| Form Factor | M.2 2280 |
| Capacity | 2TB |
| Memory Components | 64L V-NAND MLC |
| Interface | PCIe Gen3. X4, NVMe 1.3 |
| Controller | Samsung Phoenix Controller |
| Cache | 2GB LPDDR4 DRAM |
| Max Sequential Read | Up to 3500 MBps |
| Max Sequential Write | Up to 2500 MBps |
| 4KB Random Read | QD32: Up to 500,000 IOPS QD1: Up to 15,000 IOPS |
| 4KB Random Write | QD32: Up to 480,000 IOPS |
| MTBF | 1,500,000 hours |
| Power Consumption (Idle) | Max. 30 mW |
| Power Consumption (Active) | Average: 6W Maximum: 10W (Burst mode) |
| Operating Temperature | 0°C ~ +70°C |
| Max Shock Resistance | 1,500G & 0.5 ms (Half sine) |
| Height | 2.30mm |
| Width | 22.10mm |
| Depth | 80.26mm |
| Weight | 7.94g |
| Lähetyspaino | 0.08 kg |
| Pakkauksen mitat | 141 × 98 × 24 mm |
Tämän mallin muut versiot
Sama tuoteperhe, eri muisti, jäähdytin tai kellotaajuus — vertaile ennen päätöstä.
The drive is rated for up to 1,200 TBW total bytes written, which represents the endurance limit of the 64-layer V-NAND MLC memory.
The operating temperature ceiling is 70 °C; Samsung's Dynamic Thermal Guard throttles performance once this threshold is approached to protect the controller and NAND.
Active power averages 6 W with bursts up to 10 W; idle power is a maximum of 30 mW, so heat output scales directly with those wattage levels.
Myös tällä osastolla
Sama osasto, sama kassa — kahdeksan kryptovaluuttaa ja 30 minuutin kurssilukko.
Valuutta, jolla maksetaan, sekä valuutta, jossa hinnat näytetään.
Lähetetään lompakostasi kassalla
Vain näyttöä varten — hinnat ovat Yhdysvaltain dollareissa
Valuuttaa ei löytynyt.
Valitse kieli, jolla sivusto puhuu sinulle.
Uusi täällä?
Onko sinulla jo tili?
Automaattista palautusta ei ole: kauppa ei lähetä sähköpostia lainkaan, joten kertakäyttöistä linkkiä ei ole mistä pyytää. Jätä osoite tilille, niin se käsitellään käsin.
Pyyntö kirjattu
Mikään ei ole tulossa sähköpostiisi — tämä kauppa ei lähetä sähköpostia lainkaan. Joku käsittelee nämä pyynnöt käsin.
Muistitko sen?