SAMSUNG 9100 PRO 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 internal SSD (MZ-VAP1T0B/AM)
- Internal Solid Stat…
- Consumer
Přijímáme kryptoměny — takže to, co držíte, můžete utratit za skutečný hardware.Plaťte kryptem, utrácejte ho za skutečný hardware. Pojištěná doprava zdarma po celém světě nad 399 $. Neutrální přepravní krabice bez loga, odesílané z Německa.Pojištěná doprava zdarma nad 399 $. Jakmile se otevře pokladna, je váš kurz zablokovaný na 30 minut.Kurz zablokovaný na 30 minut. Každý výrobek je zapečetěný, jeho sériové číslo je zkontrolované a vztahuje se na něj 24měsíční záruka.Zapečetěno, záruka 24 měsíců.
SAMSUNG
PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 drive with 4TB V-NAND TLC, 14800 MB/s read, 13400 MB/s write, 2200000/2600000 IOPS and 2400 TBW
Style Without Heatsink
Options 4TB
The Samsung 9100 PRO 4TB is an M.2 2280 internal solid-state drive that uses a PCI-Express 5.0 x4 interface and the NVMe 2.0 protocol. It is built with Samsung V-NAND TLC (V8) memory and an in-house controller paired with a 4GB LPDDR4X cache. The drive targets consumers who need high throughput for AI computing, gaming and heavy-duty workstation workloads.
Moving from a PCIe 4.0 NVMe SSD to this PCIe 5.0 model adds sequential read speeds up to 14800 MBps and sequential write speeds up to 13400 MBps. Random performance reaches 2200000 IOPS read and 2600000 IOPS write. The jump is worth it when workloads saturate the older bus, such as large dataset training, 4K or 8K video editing, or games that stream assets directly from storage.
Intelligent TurboWrite 2.0 provides a 964GB write buffer that absorbs bursts before folding back to native TLC speeds. The controller manages power with a 5.7mW device sleep state and dynamic thermal throttling to maintain performance without a heatsink. Encryption support includes Class 0 AES 256, TCG Opal 2.0 and IEEE 1667 eDrive. Rated endurance is 2400 TBW.
| Brand | SAMSUNG |
|---|---|
| Series | 9100 PRO |
| Model | MZ-VAP4T0B/AM |
| Device Type | Internal Solid State Drive (SSD) |
| Used For | Consumer |
| Form Factor | M.2 2280 |
| Capacity | 4TB |
| Memory Components | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Interface | PCI-Express 5.0 x4 |
| Protocol | NVMe 2.0 |
| Controller | In-House Controller |
| Cache | 4GB LPDDR4X Intelligent TurboWrite 2.0: 964GB |
| Encryption | Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Max Sequential Read | Up to 14800 MBps |
| Max Sequential Write | Up to 13400 MBps |
| 4KB Random Read | Up to 2,200,000 IOPS |
| 4KB Random Write | Up to 2,600,000 IOPS |
| Terabytes Written (TBW) | 2400TB |
| HeatSink | without HeatSink |
| Power Consumption (Idle) | 5.7mW Device Sleep (L1.2) |
| Power Consumption (Active) | 9.0W / 8.2W (Read/Write) |
| Height | 2.38mm |
| Width | 22.15mm |
| Depth | 80.15mm |
| Weight | 9g |
| Přepravní hmotnost | 0.05 kg |
| Rozměry balení | 142 × 99 × 23 mm |
Další verze tohoto modelu
Stejná řada, jiná paměť, chladič nebo takt — porovnejte, než se rozhodnete.
The drive uses the standard M.2 2280 form factor, so it fits any motherboard with an M.2 key‑M slot that supports PCIe 5.0 x4.
Many builders forget to enable the motherboard’s active cooling for the M.2 slot; without airflow the controller can throttle under sustained PCIe 5.0 loads.
At 2400 TBW, the drive is rated for 2.4 petabytes of host writes; typical heavy workloads reach that point after several years of daily multi‑terabyte transfers.
Také v této kategorii
Stejná kategorie, stejná pokladna — osm měn a kurz zamčený na 30 minut.
Měna, ve které platíte, a měna, ve které se zobrazují ceny.
Odesláno z vaší peněženky u pokladny
Pouze pro zobrazení — katalog je veden v dolarech
Žádná měna neodpovídá.
Vyberte jazyk, ve kterém s vámi bude web komunikovat.
Poprvé tady?
Už účet máte?
Neexistuje žádná automatická obnova hesla: tento obchod neposílá žádné e-maily, takže neexistuje jednorázový odkaz, o který by bylo možné požádat. Nechte adresu uvedenou u účtu, vyřídíme ji ručně.
Žádost zaznamenána
Do vaší schránky nic nedorazí — tento obchod neposílá žádné e-maily. Někdo se o to postará ručně.
Vzpomněli jste si?