Intel 670p Series M.2 2280 2TB PCIe 3.0 x4 NVMe Internal SSD SSDPEKNU020TZX1
- Internal Solid Stat…
- Consumer
Hyväksymme kryptoa — hallussasi olevat kolikot voivat näin ostaa oikeaa laitteistoa.Maksa kryptolla, käytä se oikeaan laitteistoon. Ilmainen vakuutettu toimitus maailmanlaajuisesti yli 399 $. Neutraalit, tuotemerkittömät ulkopakkaukset, lähetetään Saksasta.Ilmainen vakuutettu toimitus yli 399 $. Kurssisi lukitaan 30 minuutiksi heti, kun kassa avautuu.Kurssi lukittu 30 minuutiksi. Jokainen tuote on sinetöity, sen sarjanumero on tarkistettu, ja sillä on 24 kuukauden takuu.Sinetöity, 24 kuukauden takuu.
Intel
M.2 2280 512GB QLC drive with PCIe 3.0 x4 NVMe reaching 3000 MB/s read and 1600 MB/s write
The Intel 670p Series 512GB drive uses 144-layer QLC NAND and a PCIe 3.0 x4 NVMe interface in the M.2 2280 form factor. It is built for consumer notebooks, desktops and mobile devices that need high capacity at an accessible price point.
With no moving parts the drive runs silently. Active power draw is 80 mW and idle power is 25 mW. The operating temperature range spans 0°C to 70°C, while shock resistance reaches 1,000G during operation and 1,500G when powered off. Vibration tolerance is rated at 2.17 GRMS across 5-700 Hz.
The terabytes-written rating of 185TB is the single figure that determines whether this drive suits your workload. Sequential speeds reach 3,000 MBps read and 1,600 MBps write, with random performance of 110,000 IOPS read and 315,000 IOPS write. MTBF is 1,600,000 hours.
| Brand | Intel |
|---|---|
| Series | 670p Series |
| Model | SSDPEKNU512GZX1 |
| Device Type | Internal Solid State Drive (SSD) |
| Used For | Consumer |
| Form Factor | M.2 2280 |
| Capacity | 512GB |
| Memory Components | 3D4 QLC |
| Interface | PCIe 3.0 x4, NVMe |
| Max Sequential Read | Up to 3000 MBps |
| Max Sequential Write | Up to 1600 MBps |
| 4KB Random Read | Up to 110,000 IOPS |
| 4KB Random Write | Up to 315,000 IOPS |
| Terabytes Written (TBW) | 185TB |
| MTBF | 1,600,000 hours |
| Power Consumption (Idle) | 25 mW |
| Power Consumption (Active) | 80 mW |
| Operating Temperature | 0°C ~ +70°C |
| Max Shock Resistance | Operating; 1,000G/0.5 ms Non Operation; 1,500G/0.5 ms |
| Max Vibration Resistance | 2.17 GRMS (5-700 Hz) |
| Height | 2.38mm |
| Width | 22.00mm |
| Depth | 80.00mm |
| Lähetyspaino | 0.11 kg |
| Pakkauksen mitat | 163 × 122 × 20 mm |
Tämän mallin muut versiot
Sama tuoteperhe, eri muisti, jäähdytin tai kellotaajuus — vertaile ennen päätöstä.
Insert the drive at an angle into the M.2 slot, press it flat, and secure it with the motherboard screw; the step many miss is enabling the NVMe controller in BIOS so the OS sees the 512GB volume.
No scheduled maintenance is required; the 185 TBW endurance rating and 1.6 million hour MTBF indicate when the NAND may wear out, at which point the drive is replaced rather than serviced.
The sequential write ceiling of 1600 MBps is reached before the 3000 MBps read limit, and the 185 TBW endurance budget will be consumed if that rate continues for extended periods.
Myös tällä osastolla
Sama osasto, sama kassa — kahdeksan kryptovaluuttaa ja 30 minuutin kurssilukko.
Valuutta, jolla maksetaan, sekä valuutta, jossa hinnat näytetään.
Lähetetään lompakostasi kassalla
Vain näyttöä varten — hinnat ovat Yhdysvaltain dollareissa
Valuuttaa ei löytynyt.
Valitse kieli, jolla sivusto puhuu sinulle.
Ei vastaavaa kieltä.
Uusi täällä?
Onko sinulla jo tili?
Automaattista palautusta ei ole: kauppa ei lähetä sähköpostia lainkaan, joten kertakäyttöistä linkkiä ei ole mistä pyytää. Jätä osoite tilille, niin se käsitellään käsin.
Pyyntö kirjattu
Mikään ei ole tulossa sähköpostiisi — tämä kauppa ei lähetä sähköpostia lainkaan. Joku käsittelee nämä pyynnöt käsin.
Muistitko sen?