A-Tech 32GB (4x8GB) DDR4 2400 ECC RDIMM 2Rx8 CL17 1.2V server RAM
- 32GB (4 x 8GB)
- DDR4 2400 (PC4 1920…
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A-Tech
A 32 GB quad-channel DDR3 1866 kit with ECC, CL13 latency and 1.5 V unbuffered DIMMs for compatible servers and workstations
Capacity 32GB (4 x 8GB)
This 32GB kit contains four 8GB DDR3 1866 ECC UDIMM modules built for servers and workstations that require error-correcting unbuffered memory. It suits administrators upgrading compatible platforms to handle larger workloads and improve system responsiveness.
The jump makes sense when your current configuration limits multitasking or virtualisation performance and the motherboard supports quad-channel DDR3 1866 operation. Verify that the system accepts 2Rx8 modules at 1.5V before purchasing.
Seat each module firmly until the retention clips engage and follow the motherboard manual for quad-channel population order. Common issues include mixing ranks or voltages and populating slots in the wrong sequence.
| Brand | A-Tech |
|---|---|
| Series | A-Tech DDR3 Server Memory RAM |
| Model | A-Tech 8GB 2Rx8 PC3-14900E |
| Capacity | 32GB (4 x 8GB) |
| Speed | DDR3 1866 (PC3 14900) |
| CAS Latency | CL13 |
| Voltage | 1.50V |
| ECC | Yes |
| Buffered/Registered | Unbuffered |
| Rank | 2Rx8 |
| Multi-channel Kit | Quad Channel Kit |
| Chipset | Major Brand Chipset |
| Features | Major Brand Chips |
Andere Versionen dieses Modells
Gleiche Familie, unterschiedlicher Speicher, Kühler oder Takt — vergleichen Sie, bevor Sie sich entscheiden.
The kit uses standard DDR3 DIMM slots with 240 pins; each module is an unbuffered ECC UDIMM that fits only in DDR3 server or workstation boards, not in desktop or laptop sockets.
Populate all four slots in the same channel set as shown in the system manual; the step most often missed is confirming the motherboard's quad-channel population order before seating the modules.
DDR3 ECC UDIMMs have no scheduled replacement interval; they remain in service until a module fails, capacity needs exceed 32 GB, or the platform is upgraded to a newer memory generation.
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