NEMIX RAM DDR5-5600 2TB (16x128GB) ECC RDIMM CL46 1.1V Supermicro H14SST-G memory upgrade
- 2TB (16 x 128GB)
- 288-Pin DDR5 RDIMM
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A-Tech
64 GB DDR4 2666 MHz CL19 ECC LRDIMM module using Samsung chips and Supermicro certified
This 64 GB DDR4 module runs at 2666 MHz with CL19 latency and operates at 1.20 V. It uses a 4Rx4 quad-rank Load Reduced design with ECC for error correction. The 288-pin form factor fits server platforms that support LRDIMM memory.
The part carries Supermicro certification for the MEM-DR464L-SL01-LR26 specification and is built on Samsung M386A8K40BM2-CTD silicon. This validation confirms compatibility with qualified Supermicro systems and reduces the risk of POST errors or training failures.
The 4Rx4 organisation places four logical ranks behind the load-reduced buffer, lowering electrical load on the memory controller. ECC circuitry detects and corrects single-bit errors to maintain data integrity in continuous operation. Buyers needing unbuffered UDIMMs or lower-capacity RDIMMs should verify their platform accepts LRDIMM before ordering.
| Brand | SuperMicro |
|---|---|
| Series | Supermicro Certified |
| Model | MEM-DR464L-SL01-LR26 |
| Capacity | 64GB |
| Speed | DDR4 2666 (PC4 21300) |
| CAS Latency | CL19 |
| Voltage | 1.20V |
| ECC | Yes |
| Buffered/Registered | Load Reduced |
| Rank | 4DRx4 (4Rx4) |
| Chipset | Samsung Chipset |
| Features | Supermicro Certified MEM-DR464L-SL01-LR26 (M386A8K40BM2-CTD) |
The module is built with Samsung DDR4 chips and carries a lifetime warranty; replacement is only required if a chip fails or capacity needs change.
The CL19 latency and PC4-21300 bandwidth ceiling determine peak sustained transfer rates.
At the standard 1.20 V DDR4 voltage the module draws minimal power; load-reduced buffering further reduces electrical load on the memory controller.
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