NEMIX RAM DDR5-5600 2TB (16x128GB) ECC RDIMM CL46 1.1V Supermicro H14SST-G memory upgrade
- 2TB (16 x 128GB)
- 288-Pin DDR5 RDIMM
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A-Tech
64 GB DDR5 4800 ECC registered DIMM with Micron chipset, CL40 latency and 1.1 V operation
This 64 GB DDR5 4800 module delivers registered ECC memory for server and workstation platforms. It operates at 1.10 V with a CAS latency of 40 and uses a 2Rx4 organisation. The Micron chipset ensures compatibility with the MTC40F2046S1RC48BA1 part number. Builders who need non-ECC or unbuffered DIMMs should choose a different module.
Registered buffering reduces electrical load on the memory controller during continuous operation. ECC corrects single-bit errors and detects multi-bit errors to maintain data integrity under heavy workloads. The 4800 MT/s transfer rate and CL40 timing provide stable throughput for virtualisation and database tasks. Systems without registered DIMM support cannot use this module.
The module fits standard 288-pin DDR5 DIMM slots and requires no extra configuration beyond BIOS recognition. Incorrect seating or mixing with unbuffered memory will prevent the system from posting. Verify that the platform supports registered ECC DDR5 before purchase. The 262-pin form factor noted in some references does not apply to this DIMM.
| Brand | A-Tech |
|---|---|
| Series | Compatible Replacement for Micron |
| Model | MTC40F2046S1RC48BA1 |
| Capacity | 64GB |
| Speed | DDR5 4800 (PC5 38400) |
| CAS Latency | CL40 |
| Voltage | 1.10V |
| ECC | Yes |
| Buffered/Registered | Registered |
| Rank | 2Rx4 (EC8) |
| Chipset | Micron Chipset |
| Features | MTC40F2046S1RC48BA1 |
The module operates at the standard DDR5 voltage of 1.10V; actual power draw depends on the platform's memory controller and workload intensity.
A DDR5-compatible server or workstation motherboard with a 288-pin RDIMM slot and a CPU that supports registered ECC memory is required.
Mixing ranks is platform-dependent; consult the motherboard or system vendor's qualified vendor list for supported rank configurations per channel.
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