NEMIX RAM DDR5-5600 2TB (16x128GB) ECC RDIMM CL46 1.1V Supermicro H14SST-G memory upgrade
- 2TB (16 x 128GB)
- 288-Pin DDR5 RDIMM
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NEMIX RAM
A 32 GB DDR5 SODIMM running at 4800 MT/s with CL40 latency for SuperMicro servers
This 32 GB DDR5 SODIMM is built for the Supermicro SuperServer SYS-E100-13AD-L and related X13SAN-L platforms. It delivers a single 32 GB module rated at 4800 MT/s with CL40 latency for compatible IoT and edge systems.
The module operates at 1.10 V without ECC or registered buffers. It uses major OEM Samsung, Micron or Hynix chips in a 2Rx8 layout and has no heat spreader, keeping the form factor slim for dense server chassis.
Every stick is rigorously stress tested under load before shipping to ensure reliability in continuous operation. The 262-pin DDR5 interface matches the Supermicro CSE-E101-04 and X13SAN-L-WOHS motherboards for consistent throughput during extended workloads.
| Brand | NEMIX RAM |
|---|---|
| Series | SuperMicro Server/Workstation Compatible Series Memory |
| Model | SuperMicro DDR5 4800MHZ Non-ECC Unbuffered SODIMM |
| Part Number | MS38400-328K1 |
| Capacity | 32GB |
| Speed | DDR5 4800 (PC5 38400) |
| ECC | No |
| Buffered/Registered | Unbuffered |
| Chipset | Major OEM Samsung, Micron, Hynix |
| Voltage | 1.10V |
| Compatible System | Supermicro |
| CAS Latency | CL40 |
| Heat Spreader | No |
| Type | 262-Pin DDR5 SODIMM |
| Rank | 2Rx8 |
| Features | DDR5 Non-ECC Unbuffered SODIMM Motherboard Compatible |
| Package Content | 32GB (1X32GB) DDR5 4800MHZ PC5-38400 2Rx8 1.1V CL40 262-PIN Non-ECC Unbuffered SODIMM |
Power off the server, open the chassis, align the notch on the 262-pin DDR5 SODIMM with the slot key, press firmly until the side clips click, then power on and verify 32 GB appears in BIOS.
No scheduled maintenance is required; keep the module free of dust and ensure the 1.1 V power supply remains stable — replace only if memory errors appear during diagnostics.
The CL40 latency at 4800 MT/s sets the bandwidth ceiling; sustained loads will hit that timing limit before the 1.1 V thermal envelope becomes a factor.
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