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SAMSUNG
A 2 GB DDR3 SO-DIMM running at 1600 MHz with CL11 latency and 1.50 V operation
This 2 GB Samsung laptop memory module uses 204-pin DDR3 technology rated at 1600 MHz with CL11 latency and 1.50 V operation. It is an unbuffered, non-ECC SO-DIMM built for notebook upgrades and compatible small-form-factor systems. The PC3-12800 rating delivers up to 12.8 Gbps bandwidth per channel.
This module fits laptops and compact PCs that accept 204-pin DDR3 SO-DIMMs running at 1.50 V. Systems requiring ECC, registered memory, higher capacities per slot, or a different DDR generation cannot use this part. Buyers should verify their platform supports DDR3 1600 CL11 before ordering.
The decisive specification is the 204-pin DDR3 1600 CL11 1.50 V unbuffered non-ECC SO-DIMM form factor. Only devices whose memory controller and slot match this exact combination will recognise and run the module correctly.
| Brand | SAMSUNG |
|---|---|
| Model | M471B5773CHS-CK0 |
| Capacity | 2GB |
| Type | 204-Pin DDR3 SO-DIMM |
| Speed | DDR3 1600 (PC3 12800) |
| CAS Latency | CL11 |
| Voltage | 1.50V |
| ECC | No |
| Buffered/Registered | Unbuffered |
| Versandgewicht | 0.01 kg |
| Paketgröße | 201 × 88 × 37 mm |
Yes, it operates at the standard 1.50V DDR3 voltage and CL11 latency, matching the electrical requirements of most legacy notebooks.
Open Task Manager or a tool like CPU-Z and check the memory tab; it should show 1600 MHz (PC3-12800) and CL11 timings.
Only the memory module is supplied; any tools needed for the laptop's memory compartment must be sourced separately.
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