SK hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB DDR4 2133MHz CL15 ECC Registered Dual Rank 1.2V 288-Pin Server RAM
- 16GB
- 288-Pin DDR4 SDRAM
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NEMIX RAM
32 GB DDR4 3200 ECC SODIMM module with CL22 latency and 1.2 V operation
This NEMIX RAM module provides 32 GB of DDR4 3200 memory in a single 260-pin SODIMM. It operates at 1.20 V with CL22 latency and includes ECC error correction for data integrity. The unbuffered design uses 2Rx8 organisation and Samsung-sourced DRAM chips. It is built as a direct upgrade for compatible Samsung laptops, workstations and all-in-one PCs.
Administrators who need validated ECC SODIMMs for Samsung servers, workstations or NAS devices will find this part matches the OEM specification. Builders looking for non-ECC memory, registered DIMMs, DDR5 modules or higher-speed DDR4 kits should consider other product lines that match those requirements.
The decisive specification is the DDR4 3200 (PC4-25600) rating combined with ECC unbuffered operation at CL22. This exact speed, latency and error-correction combination determines whether the module will be accepted by the target Samsung platform.
| Brand | NEMIX RAM |
|---|---|
| Series | Samsung Server/Workstation Compatible Series Memory |
| Model | Samsung DDR4 3200MHZ ECC Unbuffered SODIMM |
| Part Number | MSE25600-328K1 |
| Capacity | 32GB |
| Speed | DDR4 3200 (PC4 25600) |
| ECC | Yes |
| Buffered/Registered | Unbuffered |
| Chipset | Major OEM Samsung, Micron, Hynix |
| Voltage | 1.20V |
| Compatible System | Samsung |
| CAS Latency | CL22 |
| Heat Spreader | No |
| Type | 260-PIN DDR4 ECC SODIMM |
| Rank | 2Rx8 |
| Features | DDR4 ECC Unbuffered SODIMM Motherboard Compatible |
| Package Content | 32GB (1X32GB) DDR4 3200MHZ PC4-25600 2Rx8 1.2V CL22 260-PIN ECC Unbuffered SODIMM |
The package contains one 32GB DDR4 3200 ECC SODIMM module; no extra cables or brackets are needed for installation.
This single 32GB 2Rx8 CL22 module matches the Samsung M474A4G43AB1-CWE specification; select it when your board supports 32GB per slot and requires ECC unbuffered memory.
The module runs at 3200 MT/s with CL22 latency at 1.2V, providing ECC error correction for stable operation in compatible Samsung platforms.
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