OWC 128GB DDR5 4800 PC5-38400 CL40 4Rx4 288-pin 1.1V ECC Registered RDIMM for Dell PowerEdge XE9680
- 128GB
- 288-Pin DDR5 ECC RD…
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OWC
ECC registered DDR5 kit adds 256 GB across two 128 GB modules at 4800 MT/s CL40 for Lenovo ThinkSystem SR950 V3 servers
Capacity 256GB (2 x 128GB)
This OWC kit provides 256 GB of DDR5 registered ECC memory in two 128 GB modules. It runs at 4800 MT/s with CL40 latency at 1.1 V. The modules use a 288-pin 4Rx4 layout without heat spreaders. They are validated for the Lenovo ThinkSystem SR950 V3.
This memory suits administrators expanding a ThinkSystem SR950 V3 with registered ECC DDR5. It will not work in standard desktops, workstations that require unbuffered DIMMs, or systems that only accept load-reduced modules. Mixing with non-registered memory is not supported.
The registered 4Rx4 organisation at 4800 MT/s is the specification that determines compatibility. The SR950 V3 memory controller must support registered ECC DDR5 with this rank geometry and speed. Verify the server's qualified vendor list before installing.
| Brand | OWC |
|---|---|
| Part Number | 4R8D54R4256P |
| Capacity | 256GB (2 x 128GB) |
| Type | 288-Pin DDR5 ECC RDIMM |
| Speed | DDR5 4800 (PC5 38400) |
| CAS Latency | CL40 |
| Voltage | 1.1V |
| ECC | Yes |
| Buffered/Registered | Registered |
| Rank | 4Rx4 |
| Heat Spreader | No |
| Compatible System | Lenovo ThinkSystem SR950 V3 |
Autres versions de ce modèle
Même famille, mémoire, ventirad ou fréquence différents — comparez avant de vous décider.
Power down the server, open the chassis, and insert each 128 GB module into the DIMM slots assigned to the target processor socket following the SR950 V3 memory population guide; the key notch on the 288-pin DDR5 connector prevents backward insertion.
No periodic maintenance is required; if a module fails the ECC registered design logs correctable errors and the server firmware will flag an uncorrectable fault so the single 128 GB DIMM can be swapped without replacing the pair.
The four-rank-per-module organisation increases electrical loading on the memory bus, so the memory controller typically hits its maximum supported rank-per-channel limit before thermal or bandwidth ceilings are reached.
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