HP 507283-001 146GB 10000 RPM SAS 2.5" internal hard drive
- Bare Drive
- SATA
אנחנו מקבלים תשלום בקריפטו — כך שמטבעות הקריפטו שברשותך יכולים לקנות ציוד אמיתי.שלם בקריפטו, קנה איתו ציוד אמיתי. משלוח חינם ומבוטח לכל העולם מעל 399 $. קרטונים ניטרליים וללא מיתוג, נשלחים מגרמניה.משלוח חינם ומבוטח מעל 399 $. השער שלך ננעל ל-30 דקות מרגע פתיחת הקופה.שער נעול ל-30 דקות. כל פריט אטום, המספר הסידורי שלו נבדק, והוא מכוסה באחריות ל-24 חודשים.אטום, באחריות ל-24 חודשים.
SAMSUNG
A 4TB 2.5" SATA internal SSD with 3D NAND and 4GB DRAM cache delivering up to 540 MBps read and 520 MBps write speeds
The Samsung 850 EVO MZ-75E4T0B/AM is a 2.5-inch internal solid-state drive built for consumer laptops and desktops. It provides 4TB of storage using 3D NAND memory and a SATA III interface. The MHX controller and 4GB DRAM cache manage read and write operations for everyday workloads.
Free downloadable utilities simplify the transition from an existing drive and provide ongoing management tools. Data Migration copies the operating system and files to the new SSD. Magician enables firmware updates, health monitoring and performance optimisation without additional cost.
The drive delivers maximum sequential read speeds of 540 MBps and sequential writes of 520 MBps over SATA III. Random read reaches 98,000 IOPS at queue depth 32 while random write reaches 90,000 IOPS at the same depth. These figures determine whether the drive matches the throughput needs of the target system.
| Brand | SAMSUNG |
|---|---|
| Series | 850 EVO |
| Model | MZ-75E4T0B/AM |
| Device Type | Internal Solid State Drive (SSD) |
| Used For | Consumer |
| Form Factor | 2.5" |
| Capacity | 4TB |
| Memory Components | 3D NAND |
| Interface | SATA III |
| Controller | MHX |
| Cache | 4GB DRAM |
| Max Sequential Read | Up to 540 MBps |
| Max Sequential Write | Up to 520 MBps |
| 4KB Random Read | Up to 10,000 IOPS (QD1) Up to 98,000 IOPS (QD32) |
| 4KB Random Write | Up to 40,000 IOPS (QD1) Up to 90,000 IOPS (QD32) |
| MTBF | 1,500,000 hours |
| Power Consumption (Idle) | 70mW |
| Power Consumption (Active) | 3.1W/3.6W (Read/Write) |
| Operating Temperature | 0°C ~ +70°C |
| Storage Temperature | -40°C ~ +85°C |
| Operating Humidity | 5% to 95% RH |
| Max Shock Resistance | Non-Operating: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis |
| Max Vibration Resistance | Non-Operating: 20~2000Hz, 20G |
| Height | 6.80mm |
| Width | 69.85mm |
| Depth | 100.00mm |
| Weight | 55.00g |
| משקל משלוח | 0.13 kg |
| מידות האריזה | 145 × 141 × 22 mm |
Samsung does not publish a terabytes-written rating for this model; the 1,500,000-hour MTBF and 3D NAND construction indicate high endurance, but no specific write-limit figure is provided.
The SATA III link caps sequential writes at 520 MBps, while the MHX controller is specified for up to that same rate, so the interface limit is reached first during long sequential transfers.
Idle power is 70 mW; active power averages 3.1 W during reads and 3.6 W during writes, with an operating temperature range of 0 °C to 70 °C.
גם במדף הזה
אותו מדף, אותה קופה — שמונה מטבעות קריפטו ונעילת שער ל-30 דקות.
באיזה מטבע משלמים, ובאיזה מטבע מוצגים המחירים.
נשלח מהארנק שלך בקופה
לתצוגה בלבד — הקטלוג מתומחר בדולר ארה״ב
לא נמצא מטבע מתאים.
בחר את השפה שבה האתר פונה אליך.
חדש כאן?
כבר יש לך חשבון?
אין כאן איפוס אוטומטי: החנות הזו לא שולחת אימייל, ולכן אין קישור חד-פעמי לבקש. השאר את הכתובת בחשבון, והיא תטופל ידנית.
הבקשה נקלטה
שום דבר לא בדרך לתיבת האימייל שלך — החנות הזו לא שולחת אימייל בכלל. מישהו אוסף את הבקשות האלה ידנית.
נזכרת בה?