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Green rectangular circuit board with black memory chips and gold edge connectors

Crucial

Crucial CT8G4SFS8266 8GB DDR4 2666 SO-DIMM laptop RAM

SKU CH-BEPD-RVVK5 MPN CT8G4SFS8266

8 GB DDR4 SO-DIMM running at 2666 MT/s with CL19 latency and 1.20 V operation

  • Capacity8GB
  • Type260-Pin DDR4 SO-DIMM
  • SpeedDDR4 2666 (PC4 21300)
  • CAS LatencyCL19
  • Voltage1.20V
  • ECCNo

Capacity 8GB

取り消し線の付いたバージョンは存在しますが、こちらでは取り扱っていません。

  • 8 GB capacity adds headroom for multitasking
  • DDR4 2666 (PC4 21300) speed boosts data throughput
  • CL19 latency supports responsive application performance
  • 20 V operation reduces power draw versus DDR3
  • 260-pin SO-DIMM form factor fits standard laptop slots

Module DDR4 2666 MHz 8 Go pour portable

Ce module Crucial CT8G4SFS8266 apporte 8 Go de mémoire DDR4 SO-DIMM à 2666 MHz (PC4-21300) avec une latence CL19 et une tension de 1.20 V. Il est conçu pour les ordinateurs portables acceptant la mémoire DDR4 non-ECC et non tamponnée sur connecteur 260 broches.

Utilisateurs concernés et limites

Ce module convient aux propriétaires de portables compatibles DDR4 souhaitant augmenter la capacité ou remplacer une barrette défectueuse. Il ne convient pas aux machines limitées à la mémoire DDR3, ni aux stations de travail exigeant la correction d'erreurs ECC ou des modules enregistrés.

Spécification déterminante

Le format SO-DIMM 260 broches DDR4 impose une compatibilité stricte avec les contrôleurs mémoire DDR4 des portables récents ; un emplacement DDR3 n'acceptera pas ce module.

特長

  • 8 GB capacity adds headroom for multitasking
  • DDR4 2666 (PC4 21300) speed boosts data throughput
  • CL19 latency supports responsive application performance
  • 20 V operation reduces power draw versus DDR3
  • 260-pin SO-DIMM form factor fits standard laptop slots

仕様

BrandCrucial
ModelCT8G4SFS8266
Capacity8GB
Type260-Pin DDR4 SO-DIMM
SpeedDDR4 2666 (PC4 21300)
CAS LatencyCL19
Voltage1.20V
ECCNo
Buffered/RegisteredUnbuffered
FeaturesSpeeds start at 2133 MT/s
Increase bandwidth by up to 30%
Reduce power consumption by up to 40% and extend battery life
Faster burst access speeds for improved sequential data throughput
Optimized for next generation processors and platforms
Available in modules up to 8GB and kits up to 32GB
配送重量0.05 kg
梱包サイズ175 × 117 × 13 mm

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この商品に関する質問

Does the CL19 latency or 1.20V voltage require any periodic maintenance or replacement?

No, DDR4 SO-DIMM modules have no moving parts or serviceable components; the CL19 timing and 1.20V operation are fixed for the life of the product.

Under sustained load, does the 2666 MT/s speed or CL19 latency become the first bottleneck?

The module runs at its rated 2666 MT/s with CL19 latency; the memory controller and thermal limits of the laptop chassis determine the practical ceiling.

How much heat or power does the 8GB DDR4 module add when the laptop runs all day?

At 1.20V it draws roughly 20% less voltage than DDR3, reducing power draw and heat output for longer battery life.

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