SAMSUNG 990 2TB M.2 2280 internal SSD MZ-V9V2T0B/AM
- Internal Solid Stat…
- Consumer
نقبل الدفع بالعملة المشفرة — لذلك يمكن للعملات الرقمية التي تملكها أن تشتري أجهزة حقيقية.ادفع بالعملة المشفرة، وأنفقها على أجهزة حقيقية. شحن مؤمن مجانا إلى كل أنحاء العالم لما يتجاوز 399 US$. صناديق شحن بسيطة بلا علامة تجارية، ترسل من ألمانيا.شحن مؤمن مجانا لما يتجاوز 399 US$. يُقفل سعرك لمدة 30 دقيقة بمجرد فتح صفحة الدفع.السعر مقفل لمدة 30 دقيقة. كل قطعة مختومة، ورقمها التسلسلي متحقق منه، ومشمولة بضمان 24 شهرا.مختوم، وبضمان 24 شهرا.
SAMSUNG
A 1TB M.2 2280 internal SSD using Samsung V NAND with PCI-Express 4.0 x4 interface, delivering up to 7150 MBps read and 6450 MBps write speeds
Capacity
الإصدارات المشطوبة موجودة، لكنها غير متوفرة هنا.
The Samsung 990 MZ-V9V1T0B/AM is a 1TB internal solid-state drive built for consumer PCs. It uses an M.2 2280 form factor and a PCI-Express 4.0 x4 interface with the NVMe 2.0 protocol. An in-house controller and Samsung V-NAND memory deliver high throughput for demanding workloads.
The drive provides 1TB of usable space for operating systems, applications and large media libraries. Sequential reads reach up to 7150 MBps and writes up to 6450 MBps, while random 4KB performance hits 700,000 read IOPS and 1,100,000 write IOPS. A 400TB written rating and HMB cache support sustained heavy use before wear becomes a concern.
The PCI-Express 4.0 x4 link caps maximum theoretical bandwidth, so sequential speeds cannot exceed the lane limit. NVMe 2.0 adds namespace and endurance features but does not increase raw throughput. Host Memory Buffer uses system DRAM instead of on-board cache, so performance depends on platform memory availability and power state implementation.
| Brand | SAMSUNG |
|---|---|
| Series | 990 |
| Model | MZ-V9V1T0B/AM |
| Device Type | Internal Solid State Drive (SSD) |
| Used For | Consumer |
| Form Factor | M.2 2280 |
| Capacity | 1TB |
| Memory Components | Samsung V NAND |
| Interface | PCI-Express 4.0 x4 |
| Protocol | NVMe 2.0 |
| Controller | In-House Controller |
| Cache | HMB (Host Memory Buffer) |
| Encryption | Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Max Sequential Read | Up to 7150 MBps |
| Max Sequential Write | Up to 6450 MBps |
| 4KB Random Read | Up to 700,000 IOPS |
| 4KB Random Write | Up to 1,100,000 IOPS |
| Terabytes Written (TBW) | 400TB |
| Power Consumption (Idle) | PS3 APST on / PS4 L1.2: Typical 55mW / Typical 3mW |
| Power Consumption (Active) | Read/Write, Average: 4.0W / 3.7W |
| Height | 2.38mm |
| Width | 22.15mm |
| Depth | 80.15mm |
| Weight | 6g |
| وزن الشحنة | 0.45 kg |
| أبعاد الطرد | 165 × 99 × 20 mm |
إصدارات أخرى من هذا الطراز
نفس الفئة، بذاكرة أو مبرّد أو تردد مختلف — قارن قبل أن تقرر.
The drive is backward compatible with PCIe 3.0 slots; it will operate at PCIe 3.0 x4 speeds instead of its rated 7150 MBps read and 6450 MBps write.
Run a standard NVMe benchmark such as CrystalDiskMark using a 4KB random read test; results approaching 700000 IOPS confirm the controller and Samsung V NAND are performing as specified.
The package contains only the M.2 2280 drive itself; any heatsink or M.2 mounting screw must be sourced separately from your motherboard accessories or a third-party kit.
أيضًا في هذا القسم
نفس القسم، ونفس صفحة الدفع — ثماني عملات رقمية وقفل سعر لمدة 30 دقيقة.
ما تدفعه، وما تُعرض به الأسعار.
يُرسَل من محفظتك عند إتمام الطلب
للعرض فقط — أسعار الكتالوج بالدولار الأمريكي
لا توجد عملة مطابقة.
اختر اللغة التي يخاطبك بها الموقع.
هل أنت جديد هنا؟
لديك حساب بالفعل؟
لا توجد إعادة تعيين تلقائية: هذا المتجر لا يُرسل أي بريد، فلا يوجد رابط لمرة واحدة يمكن طلبه. اترك العنوان في الحساب، وسيُعالَج الأمر يدويًا.
تم تسجيل الطلب
لا شيء في طريقه إلى بريدك الوارد — هذا المتجر لا يُرسل أي بريد إطلاقًا. يتولّى أحدهم معالجة هذه الطلبات يدويًا.
تذكّرتها؟