Intel Optane SSD DC P4801X 200GB M.2 22110 enterprise SSD SSDPEL1K200GA01
- M.2 22110
- 200GB
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SAMSUNG
A 2 TB internal NVMe drive reaching 7,450 MB/s read and 6,900 MB/s write with 1,200 TBW endurance
This internal solid-state drive uses 3-bit MLC V-NAND and an NVMe 2.0 interface to deliver sequential read speeds up to 7,450 MB/s and write speeds up to 6,900 MB/s. It is built for desktop PCs that need fast boot, load and transfer performance.
The 2.0 TB capacity provides 1,200 TBW of endurance for heavy write workloads. Random read reaches 1,400K IOPS and random write reaches 1,550K IOPS, giving headroom for large game libraries and content-creation projects. Very large media archives or multi-drive arrays may exceed the available space.
The M.2 2280 form factor measures 5.91 inches and slots directly into a compatible motherboard socket, removing the need for drive bays and cables. The compact design frees internal room for airflow or additional components. Systems without an M.2 slot that supports NVMe cannot use this drive.
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The drive uses an M.2 2280 form factor and NVMe interface, so it will physically fit and function in a PCIe 3.0 slot, though maximum sequential read and write speeds of 7,450 MB/s and 6,900 MB/s will be limited by the older bus.
Run a synthetic benchmark such as CrystalDiskMark or AS SSD using the NVMe protocol test profile; the results should approach the stated 1,400K random read and 1,550K random write IOPS figures.
The drive is supplied as the bare M.2 2280 module only; a compatible heatsink and the motherboard standoff screw are not included and must be purchased separately if required.
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