เรารับชำระด้วยคริปโต — เหรียญที่คุณถืออยู่จึงนำมาซื้อฮาร์ดแวร์ของจริงได้จ่ายด้วยคริปโต แล้วนำไปซื้อฮาร์ดแวร์ของจริง จัดส่งฟรีพร้อมประกันภัยทั่วโลก เมื่อสั่งซื้อเกิน US$399 กล่องพัสดุเรียบไม่มีตราสินค้า จัดส่งจากประเทศเยอรมนีจัดส่งฟรีพร้อมประกันภัย เมื่อสั่งซื้อเกิน US$399 อัตราแลกเปลี่ยนของคุณจะถูกล็อกไว้ 30 นาที ทันทีที่เปิดหน้าชำระเงินล็อกอัตราแลกเปลี่ยน 30 นาที สินค้าทุกชิ้นปิดผนึกจากโรงงาน ตรวจสอบหมายเลขซีเรียล และรับประกัน 24 เดือนปิดผนึกจากโรงงาน รับประกัน 24 เดือน

สินค้าที่ติดตาม เข้าสู่ระบบ
Green rectangular circuit board with gold edge connector and black controller chip, M.2 2280 form factor

SAMSUNG

SAMSUNG 990 1TB M.2 2280 internal SSD MZ-V9V1T0B/AM

SKU CH-GJ9Z-TBYPD MPN MZ-V9V1T0B/AM

A 1TB M.2 2280 internal SSD using Samsung V NAND with PCI-Express 4.0 x4 interface, delivering up to 7150 MBps read and 6450 MBps write speeds

  • Device TypeInternal Solid State Drive (SSD)
  • Used ForConsumer
  • Form FactorM.2 2280
  • Capacity1TB
  • Memory ComponentsSamsung V NAND
  • InterfacePCI-Express 4.0 x4

Capacity

  • 1TB
  • 2TB

ตัวเลือกที่ขีดฆ่าไว้มีอยู่จริง แต่ไม่มีจำหน่ายที่นี่

  • Up to 7150 MBps sequential read for fast boot and load times
  • Up to 6450 MBps sequential write speeds large file transfers
  • 400 TBW endurance rating supports heavy write workloads
  • AES 256 encryption with TCG Opal 2.0 protects stored data
  • Host Memory Buffer cache reduces controller overhead for efficient performance

Samsung 990 1TB M.2 2280 SSD

The Samsung 990 MZ-V9V1T0B/AM is a 1TB internal solid-state drive built for consumer PCs. It uses an M.2 2280 form factor and a PCI-Express 4.0 x4 interface with the NVMe 2.0 protocol. An in-house controller and Samsung V-NAND memory deliver high throughput for demanding workloads.

1TB capacity and 400TB endurance

The drive provides 1TB of usable space for operating systems, applications and large media libraries. Sequential reads reach up to 7150 MBps and writes up to 6450 MBps, while random 4KB performance hits 700,000 read IOPS and 1,100,000 write IOPS. A 400TB written rating and HMB cache support sustained heavy use before wear becomes a concern.

PCIe 4.0 x4 interface limits

The PCI-Express 4.0 x4 link caps maximum theoretical bandwidth, so sequential speeds cannot exceed the lane limit. NVMe 2.0 adds namespace and endurance features but does not increase raw throughput. Host Memory Buffer uses system DRAM instead of on-board cache, so performance depends on platform memory availability and power state implementation.

จุดเด่น

  • Up to 7150 MBps sequential read for fast boot and load times
  • Up to 6450 MBps sequential write speeds large file transfers
  • 400 TBW endurance rating supports heavy write workloads
  • AES 256 encryption with TCG Opal 2.0 protects stored data
  • Host Memory Buffer cache reduces controller overhead for efficient performance

ข้อมูลจำเพาะ

BrandSAMSUNG
Series990
ModelMZ-V9V1T0B/AM
Device TypeInternal Solid State Drive (SSD)
Used ForConsumer
Form FactorM.2 2280
Capacity1TB
Memory ComponentsSamsung V NAND
InterfacePCI-Express 4.0 x4
ProtocolNVMe 2.0
ControllerIn-House Controller
CacheHMB (Host Memory Buffer)
EncryptionClass 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Max Sequential ReadUp to 7150 MBps
Max Sequential WriteUp to 6450 MBps
4KB Random ReadUp to 700,000 IOPS
4KB Random WriteUp to 1,100,000 IOPS
Terabytes Written (TBW)400TB
Power Consumption (Idle)PS3 APST on / PS4 L1.2: Typical 55mW / Typical 3mW
Power Consumption (Active)Read/Write, Average: 4.0W / 3.7W
Height2.38mm
Width22.15mm
Depth80.15mm
Weight6g
น้ำหนักในการจัดส่ง0.45 kg
ขนาดบรรจุภัณฑ์165 × 99 × 20 mm

รุ่นอื่นในตระกูลเดียวกัน

อีก 1 รุ่นในตระกูลเดียวกัน

ตระกูลเดียวกัน แต่หน่วยความจำ คูลเลอร์ หรือสัญญาณนาฬิกาต่างกัน — เปรียบเทียบก่อนตัดสินใจ

คำถามเกี่ยวกับสินค้านี้

Will the 990 1TB run at full speed in my older PCIe 3.0 motherboard slot?

The drive is backward compatible with PCIe 3.0 slots; it will operate at PCIe 3.0 x4 speeds instead of its rated 7150 MBps read and 6450 MBps write.

How can I verify the 990 1TB is delivering its rated 700000 random read IOPS after installation?

Run a standard NVMe benchmark such as CrystalDiskMark using a 4KB random read test; results approaching 700000 IOPS confirm the controller and Samsung V NAND are performing as specified.

Does the MZ-V9V1T0B/AM retail box include a heatsink or mounting screw?

The package contains only the M.2 2280 drive itself; any heatsink or M.2 mounting screw must be sourced separately from your motherboard accessories or a third-party kit.

อื่น ๆ ในหมวดนี้

ลูกค้ามักเปรียบเทียบสินค้าเหล่านี้

หมวดเดียวกัน การชำระเงินแบบเดียวกัน — แปดสกุลเงินคริปโตและอัตราแลกเปลี่ยนที่ล็อกไว้ 30 นาที